制造商型号： | IXTP12N65X2 |
制造商： | IXYS (艾赛斯.力特) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-单个 |
商品描述： | MOSFET N-CH 650V 12A TO-220 |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
客服： | |
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IXYS(艾赛斯.力特) IXTP12N65X2
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IXTP12N65X2 中文资料
数据手册PDF
IXTP12N65X2 规格参数
关键信息
制造商 IXYS
商标名 HiPerFET
商标 IXYS
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 600 V
漏极电流 12 A
漏源电阻 300 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 2.5 V
栅极电荷 17.7 nC
耗散功率 180 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 16 ns
上升时间 24 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 52 ns
典型接通延迟时间 23 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 2 g
库存： 0
货期： | 8周-10周（咨询客服） |
最小起订： | 300 个 |
整装： | ￥10 |
单价：￥31.419739 总价：￥9425.92 | |
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 300 | 31.419739 | 9425.92 |
品牌其他型号
IXTP12N65X2品牌厂家：IXYS
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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