制造商型号: | FCPF190N60 |
制造商: | ON (安森美) |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-单个 |
商品描述: | MOSFET N-CH 600V TO-220-3 |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | 国内现货 digikey |
服务: | 锐单发货及售后,顺丰快递,在线客服 |
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ON(安森美) FCPF190N60
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FCPF190N60 中文资料
数据手册PDF
FCPF190N60 规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标名 SuperFET II
商标 onsemi / Fairchild
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 650 V
漏极电流 20.2 A
漏源电阻 199 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2.5 V
栅极电荷 74 nC
耗散功率 39 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
晶体管类型 1 N-Channel
外形参数
高度 16.07 mm
长度 10.36 mm
宽度 4.9 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 2 g
库存: 有货
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | 26.810263 | 26.81 |
10 | 22.482117 | 224.82 |
100 | 18.187484 | 1818.75 |
500 | 16.166304 | 8083.15 |
1000 | 13.842439 | 13842.44 |
品牌其他型号
FCPF190N60品牌厂家:ON
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-单个
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