制造商型号： | IXFP4N85XM |
制造商： | IXYS (艾赛斯.力特) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-单个 |
商品描述： | MOSFET N-CH 850V 3.5A TO220 |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
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IXYS(艾赛斯.力特) IXFP4N85XM
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IXFP4N85XM 中文资料
数据手册PDF
IXFP4N85XM 规格参数
关键信息
制造商 IXYS
商标名 HiPerFET
商标 IXYS
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 850 V
漏极电流 3.5 A
漏源电阻 2.5 Ohms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 3 V
栅极电荷 7 nC
耗散功率 150 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 20 ns
正向跨导（Min） 1.2 S
上升时间 27 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 28 ns
典型接通延迟时间 13 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 2 g
库存： 2
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 39.18242 | 39.18 |
| 10 | 35.240503 | 352.41 |
| 100 | 28.869512 | 2886.95 |
| 500 | 24.575783 | 12287.89 |
| 1000 | 20.726672 | 20726.67 |
| 2000 | 19.690291 | 39380.58 |
| 5000 | 18.950087 | 94750.43 |
品牌其他型号
IXFP4N85XM品牌厂家：IXYS
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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