制造商型号： | SI8806DB-T2-E1 |
制造商： | SILICONIX (威世) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-单个 |
商品描述： | MOSFET N-CH 12V MICROFOOT |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
客服： | |
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SILICONIX(威世) SI8806DB-T2-E1
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SI8806DB-T2-E1 中文资料
数据手册PDF
SI8806DB-T2-E1 规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay / Siliconix
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 12 V
漏极电流 3.9 A
漏源电阻 47 mOhms
栅极电压 - 8 V, + 8 V
栅源极阈值电压 400 mV
栅极电荷 17 nC
耗散功率 900 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 120 mg
库存： 0
货期： | 8周-10周（咨询客服） |
最小起订： | 3000 个 |
整装： | ￥10 |
单价：￥1.915183 总价：￥5745.55 | |
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 3000 | 1.915183 | 5745.55 |
| 6000 | 1.729843 | 10379.06 |
| 15000 | 1.606283 | 24094.24 |
| 30000 | 1.569215 | 47076.45 |
| 75000 | 1.51979 | 113984.25 |
品牌其他型号
SI8806DB-T2-E1品牌厂家：SILICONIX
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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