制造商型号: | STP11NM60ND |
制造商: | ST (意法半导体) |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-单个 |
商品描述: | MOSFET N-CH 600V 10A TO-220 |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | 国内现货 digikey |
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客服: | |
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ST(意法半导体) STP11NM60ND
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STP11NM60ND 中文资料
数据手册PDF
STP11NM60ND 规格参数
属性
参数值
制造商型号
STP11NM60ND
制造商
ST(意法半导体)
商品描述
MOSFET N-CH 600V 10A TO-220
包装
Tube
系列
FDmesh™ II
零件状态
Active
FET 类型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压(Vdss)
600V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
10A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)
450mOhm @ 5A, 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)
30nC @ 10V
Vgs(最大值)
±25V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
850pF @ 50V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
90W (Tc)
工作温度
150°C (TJ)
安装类型
Through Hole
供应商器件封装
TO-220AB
封装/外壳
TO-220-3
STP11NM60ND 引脚图与封装图
STP11NM60ND引脚图
STP11NM60ND封装图
STP11NM60ND封装焊盘图
库存: 有货
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | 31.244499 | 31.24 |
10 | 28.040491 | 280.40 |
100 | 22.973386 | 2297.34 |
500 | 19.556597 | 9778.30 |
1000 | 16.49348 | 16493.48 |
品牌其他型号
STP11NM60ND品牌厂家:ST
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-单个
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