制造商型号: | TPN2R903PL,L1Q |
制造商: | Toshiba (东芝) |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-单个 |
商品描述: | X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | digikey |
服务: | 锐单发货及售后,顺丰快递,在线客服 |
客服: | |
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Toshiba(东芝) TPN2R903PL,L1Q
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TPN2R903PL,L1Q 中文资料
数据手册PDF
TPN2R903PL,L1Q 规格参数
关键信息
制造商 Toshiba
商标名 U-MOSIX-H
商标 Toshiba
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 122 A
漏源电阻 2.9 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.1 V
栅极电荷 26 nC
耗散功率 75 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 8.2 ns
上升时间 4.7 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 30 ns
典型接通延迟时间 12 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 20 mg
库存: 12402
货期: | 工作日(7~10天) |
最小起订: | 1 个 |
整装: | ¥10 |
单价:咨询客服 总价:咨询客服 | |
购买数量不足MPQ时,均为剪切带或散料出货。 |
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
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1+ : 需询价 |
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TPN2R903PL,L1Q品牌厂家:Toshiba
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-单个
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