制造商型号： | RUC002N05HZGT116 |
制造商： | ROHM (罗姆) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-单个 |
商品描述： | 1.2V DRIVE NCH MOSFET |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
客服： | |
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ROHM(罗姆) RUC002N05HZGT116
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RUC002N05HZGT116 中文资料
数据手册PDF
RUC002N05HZGT116 规格参数
关键信息
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 50 V
漏极电流 200 mA
漏源电阻 1.6 Ohms
栅极电压 - 8 V, + 8 V
栅源极阈值电压 300 mV
栅极电荷 -
耗散功率 350 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 55 ns
上升时间 6 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 15 ns
典型接通延迟时间 4 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
零件号别名 RUC002N05HZG
单位重量 8 mg
RUC002N05HZGT116 同类别型号
库存： 43987
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 2.977474 | 2.98 |
| 10 | 2.034608 | 20.35 |
| 100 | 0.992491 | 99.25 |
| 500 | 0.827738 | 413.87 |
| 1000 | 0.57515 | 575.15 |
品牌其他型号
RUC002N05HZGT116品牌厂家：ROHM
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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