制造商型号: | RFD12N06RLESM9A |
制造商: | ON (安森美) |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-单个 |
商品描述: | MOSFET N-CH 60V 18A DPAK |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | digikey |
服务: | 锐单发货及售后,顺丰快递,在线客服 |
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ON(安森美) RFD12N06RLESM9A
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RFD12N06RLESM9A 中文资料
数据手册PDF
RFD12N06RLESM9A 规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标 onsemi / Fairchild
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 17 A
漏源电阻 75 mOhms
栅极电压 - 16 V, + 16 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 15 nC
耗散功率 49 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 37 ns, 50 ns
上升时间 89 ns, 34 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 22 ns, 41 ns
典型接通延迟时间 13 ns, 5.3 ns
外形参数
高度 2.39 mm
长度 6.73 mm
宽度 6.22 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
类型 MOSFET
零件号别名 RFD12N06RLESM9A_NL
单位重量 330 mg
库存: 2096
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | 12.993785 | 12.99 |
10 | 10.593029 | 105.93 |
100 | 8.236822 | 823.68 |
500 | 6.981251 | 3490.63 |
1000 | 5.68707 | 5687.07 |
品牌其他型号
RFD12N06RLESM9A品牌厂家:ON
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-单个
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