制造商型号： | 2SJ661-1E |
制造商： | ON (安森美) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-单个 |
商品描述： | MOSFET P-CH 60V 38A |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | 国内现货 digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
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ON(安森美) 2SJ661-1E
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2SJ661-1E 中文资料
数据手册PDF
2SJ661-1E 规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标 onsemi
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 38 A
漏源电阻 29.5 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2.6 V
栅极电荷 80 nC
耗散功率 65 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 195 ns
上升时间 285 ns
晶体管类型 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 295 ns
典型接通延迟时间 33 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 2.387 g
品牌其他型号
2SJ661-1E品牌厂家：ON
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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