制造商型号： | RD3T100CNTL1 |
制造商： | ROHM (罗姆) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-单个 |
商品描述： | NCH 200V 10A POWER MOSFET |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
客服： | |
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ROHM(罗姆) RD3T100CNTL1
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RD3T100CNTL1 中文资料
数据手册PDF
RD3T100CNTL1 规格参数
关键信息
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 200 V
漏极电流 10 A
漏源电阻 182 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 3.25 V
栅极电荷 25 nC
耗散功率 85 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 15 ns
正向跨导（Min） 2.1 S
上升时间 35 ns
典型关闭延迟时间 40 ns
典型接通延迟时间 25 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 330 mg
库存： 0
货期： | 8周-10周（咨询客服） |
最小起订： | 1 个 |
整装： | ￥10 |
单价：￥19.064899 总价：￥19.06 | |
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 19.064899 | 19.06 |
| 10 | 15.78773 | 157.88 |
| 100 | 12.56539 | 1256.54 |
| 500 | 10.631984 | 5315.99 |
| 1000 | 9.021187 | 9021.19 |
品牌其他型号
RD3T100CNTL1品牌厂家：ROHM
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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