制造商型号: | RD3H200SNFRATL |
制造商: | ROHM (罗姆) |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-单个 |
商品描述: | RD3H200SNFRA IS THE HIGH RELIABI |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | digikey |
服务: | 锐单发货及售后,顺丰快递,在线客服 |
客服: | |
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ROHM(罗姆) RD3H200SNFRATL
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RD3H200SNFRATL 中文资料
数据手册PDF
RD3H200SNFRATL 规格参数
关键信息
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 45 V
漏极电流 20 A
漏源电阻 28 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 12 nC
耗散功率 20 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 20 ns
正向跨导(Min) 10 S
上升时间 20 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 50 ns
典型接通延迟时间 10 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
单位重量 330 mg
库存: 0
货期: | 8周-10周(咨询客服) |
最小起订: | 1 个 |
整装: | ¥10 |
单价:¥18.741985 总价:¥18.74 |
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | 18.741985 | 18.74 |
10 | 16.879078 | 168.79 |
100 | 13.571004 | 1357.10 |
500 | 11.14945 | 5574.73 |
1000 | 9.238219 | 9238.22 |
品牌其他型号
RD3H200SNFRATL品牌厂家:ROHM
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-单个
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