制造商型号： | RD3H200SNFRATL |
制造商： | ROHM (罗姆) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-单个 |
商品描述： | RD3H200SNFRA IS THE HIGH RELIABI |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
客服： | |
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ROHM(罗姆) RD3H200SNFRATL
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RD3H200SNFRATL 中文资料
数据手册PDF
RD3H200SNFRATL 规格参数
关键信息
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 45 V
漏极电流 20 A
漏源电阻 28 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 12 nC
耗散功率 20 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 20 ns
正向跨导（Min） 10 S
上升时间 20 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 50 ns
典型接通延迟时间 10 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
单位重量 330 mg
RD3H200SNFRATL 同类别型号
库存： 0
货期： | 8周-10周（咨询客服） |
最小起订： | 1 个 |
整装： | ￥10 |
单价：￥18.741985 总价：￥18.74 | |
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 18.741985 | 18.74 |
| 10 | 16.879078 | 168.79 |
| 100 | 13.571004 | 1357.10 |
| 500 | 11.14945 | 5574.73 |
| 1000 | 9.238219 | 9238.22 |
品牌其他型号
RD3H200SNFRATL品牌厂家：ROHM
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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