制造商型号： | STB9NK80Z |
制造商： | ST (意法半导体) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-单个 |
商品描述： | MOSFET N-CH 800V D2PAK |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
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ST(意法半导体) STB9NK80Z
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STB9NK80Z 中文资料
数据手册PDF
STB9NK80Z 规格参数
属性
参数值
制造商型号
STB9NK80Z
制造商
ST(意法半导体)
商品描述
MOSFET N-CH 800V D2PAK
包装
Cut Tape (CT)
Alternate Packaging
系列
Automotive, AEC-Q101, SuperMESH™
零件状态
Active
FET 类型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压（Vdss）
800V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
5.2A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
1.8Ohm @ 2.6A, 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
4.5V @ 100µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
40nC @ 10V
Vgs（最大值）
±30V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
1138pF @ 25V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
125W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
供应商器件封装
D2PAK
封装/外壳
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
库存： 0
货期： | 8周-10周（咨询客服） |
最小起订： | 1 个 |
整装： | ￥10 |
单价：￥28.716464 总价：￥28.72 | |
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 28.716464 | 28.72 |
| 10 | 23.843368 | 238.43 |
| 100 | 18.975244 | 1897.52 |
| 500 | 16.055611 | 8027.81 |
品牌其他型号
STB9NK80Z品牌厂家：ST
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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