制造商型号： | SISS04DN-T1-GE3 |
制造商： | SILICONIX (威世) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-单个 |
商品描述： | MOSFET N-CHAN 30V POWERPAK 1212- |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | 国内现货 digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
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SILICONIX(威世) SISS04DN-T1-GE3
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SISS04DN-T1-GE3 中文资料
数据手册PDF
SISS04DN-T1-GE3 规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET, PowerPAK
商标 Vishay / Siliconix
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 80 A
漏源电阻 1.2 mOhms
栅极电压 - 12 V, + 16 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 93 nC
耗散功率 65.7 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 10 ns
正向跨导（Min） 95 S
上升时间 21 ns
典型关闭延迟时间 26 ns
典型接通延迟时间 12 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 1 g
库存： 有货
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 3000 | 3.689591 | 11068.77 |
| 6000 | 3.354147 | 20124.88 |
| 15000 | 3.199341 | 47990.11 |
品牌其他型号
SISS04DN-T1-GE3品牌厂家：SILICONIX
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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