制造商型号: | BSS225H6327FTSA1 |
制造商: | INFINEON (英飞凌) |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-单个 |
商品描述: | MOSFET N-CH 600V 0.09A SOT-89 |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | digikey |
服务: | 锐单发货及售后,顺丰快递,在线客服 |
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INFINEON(英飞凌) BSS225H6327FTSA1
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BSS225H6327FTSA1 中文资料
数据手册PDF
BSS225H6327FTSA1 规格参数
关键信息
制造商 Infineon
商标 Infineon Technologies
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 600 V
漏极电流 90 mA
漏源电阻 28 Ohms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.9 V
栅极电荷 5.8 nC
耗散功率 1 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 41 ns
正向跨导(Min) 50 mS
上升时间 38 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 62 ns
典型接通延迟时间 14 ns
外形参数
高度 1.5 mm
长度 4.5 mm
宽度 2.5 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 BSS225 H6327 SP001047644
单位重量 130.500 mg
库存: 5990
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | 8.189762 | 8.19 |
10 | 7.184657 | 71.85 |
100 | 5.504514 | 550.45 |
500 | 4.351742 | 2175.87 |
品牌其他型号
BSS225H6327FTSA1品牌厂家:INFINEON
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-单个
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