制造商型号： | SIHP105N60EF-GE3 |
制造商： | SILICONIX (威世) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-单个 |
商品描述： | EF SERIES POWER MOSFET WITH FAST |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
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SILICONIX(威世) SIHP105N60EF-GE3
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SIHP105N60EF-GE3 中文资料
数据手册PDF
SIHP105N60EF-GE3 规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 600 V
漏极电流 29 A
漏源电阻 88 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 5 V
栅极电荷 35 nC
耗散功率 208 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 19 ns
上升时间 28 ns
典型关闭延迟时间 39 ns
典型接通延迟时间 20 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 2 g
SIHP105N60EF-GE3 同类别型号
库存： 50
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 63.262841 | 63.26 |
| 10 | 56.788285 | 567.88 |
| 25 | 53.684452 | 1342.11 |
| 100 | 42.947068 | 4294.71 |
| 250 | 40.561367 | 10140.34 |
| 500 | 38.17517 | 19087.58 |
| 1000 | 32.68749 | 32687.49 |
| 2500 | 32.2103 | 80525.75 |
| 5000 | 29.347162 | 146735.81 |
品牌其他型号
SIHP105N60EF-GE3品牌厂家：SILICONIX
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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