制造商型号： | FDD850N10L |
制造商： | ON (安森美) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-单个 |
商品描述： | MOSFET N-CH 100V 15.7A DPAK-3 |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
客服： | |
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ON(安森美) FDD850N10L
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FDD850N10L 中文资料
数据手册PDF
FDD850N10L 规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标名 PowerTrench
商标 onsemi / Fairchild
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 100 V
漏极电流 15.7 A
漏源电阻 64 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2.5 V
栅极电荷 22.2 nC
耗散功率 50 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
正向跨导（Min） 31 S
晶体管类型 1 N-Channel
外形参数
高度 2.39 mm
长度 6.73 mm
宽度 6.22 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 330 mg
库存： 0
货期： | 8周-10周（咨询客服） |
最小起订： | 1 个 |
整装： | ￥10 |
单价：￥13.862335 总价：￥13.86 | |
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 13.862335 | 13.86 |
| 10 | 12.3634 | 123.63 |
| 100 | 9.637141 | 963.71 |
| 500 | 7.961489 | 3980.74 |
| 1000 | 6.285386 | 6285.39 |
品牌其他型号
FDD850N10L品牌厂家：ON
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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