制造商型号: | SIHB16N50C-E3 |
制造商: | SILICONIX (威世) |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-单个 |
商品描述: | MOSFET N-CH 500V 16A D2PAK |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | digikey |
服务: | 锐单发货及售后,顺丰快递,在线客服 |
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SILICONIX(威世) SIHB16N50C-E3
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SIHB16N50C-E3 中文资料
数据手册PDF
SIHB16N50C-E3 规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标 Vishay Semiconductors
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 560 V
漏极电流 16 A
漏源电阻 380 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 5 V
栅极电荷 45 nC
耗散功率 38 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 31 ns
上升时间 156 ns
典型关闭延迟时间 29 ns
典型接通延迟时间 27 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 4 g
库存: 998
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | 77.227973 | 77.23 |
10 | 75.147426 | 751.47 |
30 | 73.760393 | 2212.81 |
100 | 72.356848 | 7235.68 |
品牌其他型号
SIHB16N50C-E3品牌厂家:SILICONIX
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-单个
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