制造商型号： | SIHG052N60EF-GE3 |
制造商： | SILICONIX (威世) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-单个 |
商品描述： | MOSFET EF SERIES TO-247AC |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
客服： | |
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SILICONIX(威世) SIHG052N60EF-GE3
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SIHG052N60EF-GE3 中文资料
数据手册PDF
SIHG052N60EF-GE3 规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标 Vishay / Siliconix
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 600 V
漏极电流 48 A
漏源电阻 52 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 5 V
栅极电荷 67 nC
耗散功率 278 W
通道模式 Enhancement
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
库存： 0
货期： | 8周-10周（咨询客服） |
最小起订： | 500 个 |
整装： | ￥10 |
单价：￥50.004828 总价：￥25002.41 | |
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 500 | 50.004828 | 25002.41 |
| 1000 | 45.004345 | 45004.35 |
| 2500 | 43.337518 | 108343.80 |
| 5000 | 41.003958 | 205019.79 |
| 12500 | 40.003862 | 500048.27 |
品牌其他型号
SIHG052N60EF-GE3品牌厂家：SILICONIX
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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