制造商型号： | FQD13N10LTM |
制造商： | ON (安森美) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-单个 |
商品描述： | MOSFET N-CH 100V 10A DPAK |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | 自营 digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
客服： | |
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ON(安森美) FQD13N10LTM
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FQD13N10LTM 中文资料
数据手册PDF
FQD13N10LTM 规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标 onsemi / Fairchild
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 100 V
漏极电流 10 A
漏源电阻 180 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 8.7 nC
耗散功率 2.5 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 72 ns
正向跨导（Min） 8.7 S
上升时间 220 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 22 ns
典型接通延迟时间 7.5 ns
外形参数
高度 2.39 mm
长度 6.73 mm
宽度 6.22 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
类型 MOSFET
单位重量 330 mg
库存： 2
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 6.14778 | 6.15 |
| 30 | 5.93724 | 178.12 |
| 100 | 5.51616 | 551.62 |
| 500 | 5.09508 | 2547.54 |
| 1000 | 4.88454 | 4884.54 |
品牌其他型号
FQD13N10LTM品牌厂家：ON
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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