制造商型号： | IXTA1N200P3HVTRL |
制造商： | IXYS (艾赛斯.力特) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-单个 |
商品描述： | MOFET N-CH 2000V 1.0A TO-263HV |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
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客服： | |
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IXYS(艾赛斯.力特) IXTA1N200P3HVTRL
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IXTA1N200P3HVTRL 规格参数
属性
参数值
制造商型号
IXTA1N200P3HVTRL
制造商
IXYS(艾赛斯.力特)
商品描述
MOFET N-CH 2000V 1.0A TO-263HV
包装
-
系列
-
零件状态
Active
FET 类型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压（Vdss）
2000V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
1A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
40Ohm @ 500mA, 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
23.5nC @ 10V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
646pF @ 25V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
125W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
供应商器件封装
TO-263HV
封装/外壳
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
库存： 0
货期： | 8周-10周（咨询客服） |
最小起订： | 800 个 |
整装： | ￥10 |
单价：￥48.744514 总价：￥38995.61 | |
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 800 | 48.744514 | 38995.61 |
| 1600 | 43.870062 | 70192.10 |
| 2400 | 42.245245 | 101388.59 |
| 5600 | 39.970501 | 223834.81 |
| 20000 | 38.99561 | 779912.20 |
品牌其他型号
IXTA1N200P3HVTRL品牌厂家：IXYS
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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