制造商型号: | IPS60R650CEAKMA1 |
制造商: | INFINEON (英飞凌) |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-单个 |
商品描述: | CONSUMER |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | 国内现货 digikey |
服务: | 锐单发货及售后,顺丰快递,在线客服 |
客服: | |
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INFINEON(英飞凌) IPS60R650CEAKMA1
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IPS60R650CEAKMA1 中文资料
数据手册PDF
IPS60R650CEAKMA1 规格参数
关键信息
制造商 Infineon
商标名 CoolMOS
商标 Infineon Technologies
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 600 V
漏极电流 9.9 A
漏源电阻 650 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 3 V
栅极电荷 20.5 nC
耗散功率 82 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
零件号别名 IPS60R650CE SP001471280
单位重量 340 mg
品牌其他型号
IPS60R650CEAKMA1品牌厂家:INFINEON
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-单个
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