制造商型号： | RW1C020UNT2R |
制造商： | ROHM (罗姆) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-单个 |
商品描述： | MOSFET N-CH 20V 2A WEMT6 |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
客服： | |
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ROHM(罗姆) RW1C020UNT2R
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RW1C020UNT2R 中文资料
数据手册PDF
RW1C020UNT2R 规格参数
关键信息
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 2 A
漏源电阻 75 mOhms
栅极电压 - 10 V, + 10 V
栅源极阈值电压 300 mV
栅极电荷 2 nC
耗散功率 700 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 30 ns
正向跨导（Min） 1.8 S
上升时间 17 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 30 ns
典型接通延迟时间 6 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 RW1C020UN
单位重量 6 mg
品牌其他型号
RW1C020UNT2R品牌厂家：ROHM
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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