制造商型号: | STB19NM65N |
制造商: | ST (意法半导体) |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-单个 |
商品描述: | MOSFET N-CH 650V 15.5A D2PAK |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | digikey |
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ST(意法半导体) STB19NM65N
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STB19NM65N 中文资料
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STB19NM65N 规格参数
属性
参数值
制造商型号
STB19NM65N
制造商
ST(意法半导体)
商品描述
MOSFET N-CH 650V 15.5A D2PAK
包装
Digi-Reel®
Alternate Packaging
系列
MDmesh™ II
零件状态
Obsolete
FET 类型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压(Vdss)
650V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
15.5A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)
270mOhm @ 7.75A, 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)
55nC @ 10V
Vgs(最大值)
±25V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
1900pF @ 50V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
150W (Tc)
工作温度
150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
供应商器件封装
D2PAK
封装/外壳
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
品牌其他型号
STB19NM65N品牌厂家:ST
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-单个
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