制造商型号: | IMW120R030M1HXKSA1 |
制造商: | INFINEON (英飞凌) |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-单个 |
商品描述: | COOLSIC MOSFETS 1200V |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | 国内现货 digikey |
服务: | 锐单发货及售后,顺丰快递,在线客服 |
客服: | |
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INFINEON(英飞凌) IMW120R030M1HXKSA1
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IMW120R030M1HXKSA1 中文资料
数据手册PDF
IMW120R030M1HXKSA1 规格参数
关键信息
制造商 Infineon
商标名 CoolSiC
商标 Infineon Technologies
技术类参数
技术 SiC
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 1.2 kV
漏极电流 56 A
漏源电阻 40 mOhms
栅极电压 - 7 V, + 23 V
栅源极阈值电压 5.7 V
栅极电荷 63 nC
耗散功率 227 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 13 ns
正向跨导(Min) 14 S
上升时间 19 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 17 ns
典型接通延迟时间 7 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
零件号别名 IMW120R030M1H SP001727390
单位重量 6 g
IMW120R030M1HXKSA1 同类别型号
库存: 有货
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | 198.001915 | 198.00 |
10 | 182.583791 | 1825.84 |
100 | 155.912968 | 15591.30 |
品牌其他型号
IMW120R030M1HXKSA1品牌厂家:INFINEON
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-单个
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