制造商型号： | SIS606BDN-T1-GE3 |
制造商： | SILICONIX (威世) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-单个 |
商品描述： | MOSFET N-CHAN 100V POWERPAK 1212 |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
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SILICONIX(威世) SIS606BDN-T1-GE3
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SIS606BDN-T1-GE3 中文资料
数据手册PDF
SIS606BDN-T1-GE3 规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET, PowerPAK
商标 Vishay / Siliconix
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 100 V
漏极电流 35.3 A
漏源电阻 14.5 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 20 nC
耗散功率 52 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 5 ns
上升时间 5 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 19 ns
典型接通延迟时间 12 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 1 g
SIS606BDN-T1-GE3 同类别型号
库存： 1800
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 17.545554 | 17.55 |
| 10 | 15.679794 | 156.80 |
| 25 | 14.876652 | 371.92 |
| 100 | 11.15749 | 1115.75 |
| 250 | 11.051227 | 2762.81 |
| 500 | 9.457301 | 4728.65 |
| 1000 | 7.703981 | 7703.98 |
品牌其他型号
SIS606BDN-T1-GE3品牌厂家：SILICONIX
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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