制造商型号： | FQP9N25C |
制造商： | ROCHESTER (罗彻斯特电子) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-单个 |
商品描述： | N-CHANNEL POWER MOSFET |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
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客服： | |
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ROCHESTER(罗彻斯特电子) FQP9N25C
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FQP9N25C 中文资料
数据手册PDF
FQP9N25C 规格参数
属性
参数值
制造商型号
FQP9N25C
制造商
ROCHESTER(罗彻斯特电子)
商品描述
N-CHANNEL POWER MOSFET
包装
Tube
系列
QFET®
零件状态
Obsolete
FET 类型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压（Vdss）
250V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
8.8A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
430mOhm @ 4.4A, 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
35nC @ 10V
Vgs（最大值）
±30V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
710pF @ 25V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
74W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Through Hole
供应商器件封装
TO-220-3
封装/外壳
TO-220-3
库存： 0
货期： | 8周-10周（咨询客服） |
最小起订： | 50 个 |
整装： | ￥10 |
单价：￥3.104641 总价：￥155.23 | |
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 50 | 3.104641 | 155.23 |
| 100 | 3.045527 | 304.55 |
| 200 | 2.986412 | 597.28 |
| 300 | 2.980468 | 894.14 |
| 500 | 2.9628 | 1481.40 |
| 1000 | 2.956856 | 2956.86 |
品牌其他型号
FQP9N25C品牌厂家：ROCHESTER
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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