制造商型号： | IXFN106N20 |
制造商： | IXYS (艾赛斯.力特) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-单个 |
商品描述： | MOSFET N-CH 200V 106A SOT-227B |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | 国内现货 mouser digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
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IXYS(艾赛斯.力特) IXFN106N20
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IXFN106N20 中文资料
数据手册PDF
IXFN106N20 规格参数
关键信息
制造商 IXYS
产品 Power MOSFET Modules
商标 IXYS
商标名 HyperFET
技术类参数
栅极电压 - 20 V, + 20 V
配置 Single
下降时间 30 ns
漏极电流 106 A
通道数量 1 Channel
耗散功率 520 W
漏源电阻 20 mOhms
上升时间 80 ns
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
典型关闭延迟时间 75 ns
典型接通延迟时间 30 ns
漏源击穿电压 200 V
外形参数
高度 9.6 mm
长度 38.2 mm
宽度 25.07 mm
物理类型
产品种类 分立半导体模块
安装风格 Chassis Mount
产品类型 Discrete Semiconductor Modules
单位重量 30 g
库存： 有货
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 10 | 157.48036 | 1574.80 |
品牌其他型号
IXFN106N20品牌厂家：IXYS
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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