制造商型号： | RD3L08BGNTL |
制造商： | ROHM (罗姆) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-单个 |
商品描述： | RD3L08BGN IS A POWER MOSFET, SUI |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
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ROHM(罗姆) RD3L08BGNTL
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RD3L08BGNTL 中文资料
数据手册PDF
RD3L08BGNTL 规格参数
关键信息
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 80 A
漏源电阻 5.5 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 71 nC
耗散功率 119 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 150 ns
上升时间 36 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 99 ns
典型接通延迟时间 28 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 330 mg
库存： 1415
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 32.320676 | 32.32 |
| 10 | 26.866562 | 268.67 |
| 100 | 21.384672 | 2138.47 |
| 500 | 18.09453 | 9047.26 |
| 1000 | 15.352828 | 15352.83 |
品牌其他型号
RD3L08BGNTL品牌厂家：ROHM
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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