制造商型号： | NVHL080N120SC1 |
制造商： | ON (安森美) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-单个 |
商品描述： | SIC MOS TO247-3L 80MW 120 |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | 国内现货 digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
客服： | |
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ON(安森美) NVHL080N120SC1
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NVHL080N120SC1 中文资料
数据手册PDF
NVHL080N120SC1 规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标 onsemi
技术类参数
技术 SiC
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 1.2 kV
漏极电流 44 A
漏源电阻 162 mOhms
栅极电压 - 15 V, + 25 V
栅源极阈值电压 1.8 V
栅极电荷 56 nC
耗散功率 348 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 8 ns
正向跨导（Min） 13 S
上升时间 5.8 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 28 ns
典型接通延迟时间 6.2 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
单位重量 6 g
库存： 有货
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 126.070004 | 126.07 |
| 10 | 115.843784 | 1158.44 |
| 100 | 97.836867 | 9783.69 |
| 500 | 87.032577 | 43516.29 |
品牌其他型号
NVHL080N120SC1品牌厂家：ON
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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