制造商型号： | R6507ENJTL |
制造商： | ROHM (罗姆) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-单个 |
商品描述： | NCH 650V 7A POWER MOSFET. R6507 |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
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ROHM(罗姆) R6507ENJTL
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R6507ENJTL 中文资料
数据手册PDF
R6507ENJTL 规格参数
关键信息
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 650 V
漏极电流 7 A
漏源电阻 665 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 20 nC
耗散功率 78 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 40 ns
上升时间 25 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 65 ns
典型接通延迟时间 18 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 4 g
库存： 1000
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 40.9442 | 40.94 |
| 10 | 36.793111 | 367.93 |
| 25 | 34.710482 | 867.76 |
| 100 | 27.074175 | 2707.42 |
| 250 | 26.379967 | 6594.99 |
| 500 | 22.908918 | 11454.46 |
品牌其他型号
R6507ENJTL品牌厂家：ROHM
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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