制造商型号： | NTMYS1D2N04CLTWG |
制造商： | ON (安森美) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-单个 |
商品描述： | T6 40V LL LFPAK |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
客服： | |
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ON(安森美) NTMYS1D2N04CLTWG
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NTMYS1D2N04CLTWG 中文资料
数据手册PDF
NTMYS1D2N04CLTWG 规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标 onsemi
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 40 V
漏极电流 258 A
漏源电阻 1.2 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.2 V
栅极电荷 52 nC
耗散功率 134 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 22 ns
上升时间 8.1 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 79 ns
典型接通延迟时间 14 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 75 mg
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库存： 0
货期： | 8周-10周（咨询客服） |
最小起订： | 3000 个 |
整装： | ￥10 |
单价：￥12.835438 总价：￥38506.31 | |
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 3000 | 12.835438 | 38506.31 |
品牌其他型号
NTMYS1D2N04CLTWG品牌厂家：ON
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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