INFINEON(英飞凌) BSC12DN20NS3GATMA1

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制造商型号：	BSC12DN20NS3GATMA1
制造商：	INFINEON (英飞凌)
产品类别：	晶体管-FET，MOSFET-单个
商品描述：	MOSFET N-CH 200V 11.3A 8TDSON
供货：	货期工作日（7-10天）
渠道：	国内现货 digikey
服务：	锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服
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BSC12DN20NS3GATMA1数据手册

BSC12DN20NS3GATMA1 规格参数

属性

参数值

制造商型号

BSC12DN20NS3GATMA1

制造商

INFINEON(英飞凌)

商品描述

MOSFET N-CH 200V 11.3A 8TDSON

包装

Tape & Reel (TR) Alternate Packaging

系列

OptiMOS™

零件状态

Active

FET 类型

N-Channel

技术

MOSFET (Metal Oxide)

漏源电压（Vdss）

200V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）

11.3A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）

125mOhm @ 5.7A, 10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）

4V @ 25µA

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）

8.7nC @ 10V

Vgs（最大值）

±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）

680pF @ 100V

FET 功能

功率耗散（最大值）

50W (Tc)

工作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安装类型

Surface Mount

供应商器件封装

PG-TDSON-8-5

封装/外壳

8-PowerTDFN

BSC12DN20NS3GATMA1 引脚图与封装图

BSC12DN20NS3GATMA1引脚图

BSC12DN20NS3GATMA1封装图

BSC12DN20NS3GATMA1封装焊盘图

BSC12DN20NS3GATMA1 同类别型号