制造商型号: | DMN10H170SK3-13 |
制造商: | DIODES (美台) |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-单个 |
商品描述: | MOSFET N-CH 100V 12A TO252 |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | digikey |
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DIODES(美台) DMN10H170SK3-13
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DMN10H170SK3-13 中文资料
数据手册PDF
DMN10H170SK3-13 规格参数
关键信息
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 100 V
漏极电流 12 A
漏源电阻 140 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 9.7 nC
耗散功率 42 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 12.8 ns
上升时间 11.1 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 42.6 ns
典型接通延迟时间 10.5 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 330 mg
库存: 154826
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | 8.572552 | 8.57 |
10 | 7.386684 | 73.87 |
100 | 5.113529 | 511.35 |
500 | 4.272847 | 2136.42 |
1000 | 3.636478 | 3636.48 |
品牌其他型号
DMN10H170SK3-13品牌厂家:DIODES
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-单个
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