DMN10H170SK3-13
数据手册.pdfDiodes(美台)
分立器件
极性 N-CH
耗散功率 42 W
漏源极电压Vds 100 V
连续漏极电流Ids 12A
上升时间 11.1 ns
输入电容Ciss 1167pF @25VVds
额定功率Max 42 W
下降时间 12.8 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 42W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
封装 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
ECCN代码 EAR99
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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DMN10H170SK3-13 | Diodes 美台 | DMN10H170SK3 系列 100 V 140 mOhm N 沟道 增强模式 Mosfet - TO-252-3 | 搜索库存 |