制造商型号： | DMN2013UFDE-7 |
制造商： | DIODES (美台) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-单个 |
商品描述： | MOSFET N-CH 20V 10.5A U-DFN |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | 国内现货 自营 digikey |
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客服： | |
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DIODES(美台) DMN2013UFDE-7
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DMN2013UFDE-7 中文资料
数据手册PDF
DMN2013UFDE-7 规格参数
关键信息
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 10.5 A
漏源电阻 8.4 mOhms
栅极电压 - 8 V, + 8 V
栅源极阈值电压 500 mV
栅极电荷 25.8 nC
耗散功率 660 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 20.8 ns
上升时间 24.5 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 66.4 ns
典型接通延迟时间 9.9 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 6.750 mg
DMN2013UFDE-7 同类别型号
库存： 有货
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 2.214 | 2.21 |
| 10 | 1.64025 | 16.40 |
| 30 | 1.53225 | 45.97 |
| 100 | 1.42425 | 142.43 |
| 500 | 1.377 | 688.50 |
品牌其他型号
DMN2013UFDE-7品牌厂家：DIODES
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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