制造商型号： | IXTQ60N20L2 |
制造商： | IXYS (艾赛斯.力特) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-单个 |
商品描述： | MOSFET N-CH 200V 60A TO-3P |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | 国内现货 digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
客服： | |
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IXYS(艾赛斯.力特) IXTQ60N20L2
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IXTQ60N20L2 中文资料
数据手册PDF
IXTQ60N20L2 规格参数
关键信息
制造商 IXYS
商标 IXYS
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 200 V
漏极电流 60 A
漏源电阻 45 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2.5 V
栅极电荷 255 nC
耗散功率 540 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 90 ns
典型接通延迟时间 26 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 1.600 g
库存： 有货
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 88.594577 | 88.59 |
| 10 | 81.422635 | 814.23 |
| 25 | 78.049034 | 1951.23 |
| 100 | 67.50063 | 6750.06 |
| 250 | 65.391236 | 16347.81 |
品牌其他型号
IXTQ60N20L2品牌厂家：IXYS
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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