制造商型号: | IPAN60R360PFD7SXKSA1 |
制造商: | INFINEON (英飞凌) |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-单个 |
商品描述: | MOSFET N-CH 600V |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | 国内现货 digikey |
服务: | 锐单发货及售后,顺丰快递,在线客服 |
客服: | |
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INFINEON(英飞凌) IPAN60R360PFD7SXKSA1
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IPAN60R360PFD7SXKSA1 规格参数
关键信息
制造商 Infineon
商标 Infineon Technologies
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 600 V
漏极电流 10 A
漏源电阻 714 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 4 V
栅极电荷 12.7 nC
耗散功率 23 W
通道模式 Enhancement
下降时间 13 ns
上升时间 11 ns
典型关闭延迟时间 46 ns
典型接通延迟时间 13.5 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
零件号别名 IPAN60R360PFD7S SP003965454
单位重量 2 g
IPAN60R360PFD7SXKSA1 同类别型号
库存: 有货
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | 9.653837 | 9.65 |
10 | 7.887543 | 78.88 |
100 | 6.131975 | 613.20 |
500 | 5.197769 | 2598.88 |
1000 | 4.234102 | 4234.10 |
品牌其他型号
IPAN60R360PFD7SXKSA1品牌厂家:INFINEON
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-单个
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