制造商型号： | IXFR36N50P |
制造商： | IXYS (艾赛斯.力特) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-单个 |
商品描述： | MOSFET N-CH 500V 19A ISOPLUS247 |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | 国内现货 digikey |
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IXYS(艾赛斯.力特) IXFR36N50P
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IXFR36N50P 中文资料
数据手册PDF
IXFR36N50P 规格参数
关键信息
制造商 IXYS
商标名 HiPerFET
商标 IXYS
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 500 V
漏极电流 19 A
漏源电阻 190 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 2.5 V
栅极电荷 93 nC
耗散功率 156 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 23 ns
正向跨导（Min） 35 S
上升时间 23 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 82 ns
典型接通延迟时间 29 ns
外形参数
高度 21.34 mm
长度 16.13 mm
宽度 5.21 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 6 g
库存： 有货
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 67.071601 | 67.07 |
| 10 | 60.571805 | 605.72 |
| 25 | 57.755942 | 1443.90 |
| 100 | 47.893985 | 4789.40 |
| 250 | 45.076692 | 11269.17 |
品牌其他型号
IXFR36N50P品牌厂家：IXYS
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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