制造商型号： | BSP299L6327HUSA1 |
制造商： | ROCHESTER (罗彻斯特电子) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-单个 |
商品描述： | SMALL-SIGNAL N-CHANNEL MOSFET |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
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ROCHESTER(罗彻斯特电子) BSP299L6327HUSA1
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BSP299L6327HUSA1 中文资料
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BSP299L6327HUSA1 规格参数
属性
参数值
制造商型号
BSP299L6327HUSA1
制造商
ROCHESTER(罗彻斯特电子)
商品描述
SMALL-SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
包装
Bulk
系列
SIPMOS®
零件状态
Obsolete
FET 类型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压（Vdss）
500V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
400mA (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
4Ohm @ 400mA, 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
4V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
-
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
400pF @ 25V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
1.8W (Ta)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
供应商器件封装
PG-SOT223-4
封装/外壳
TO-261-4, TO-261AA
库存： 0
货期： | 8周-10周（咨询客服） |
最小起订： | 491 个 |
整装： | ￥10 |
单价：￥6.301572 总价：￥3094.07 | |
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 491 | 6.301572 | 3094.07 |
品牌其他型号
BSP299L6327HUSA1品牌厂家：ROCHESTER
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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