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SILICONIX(威世) SIJ478DP-T1-GE3

SILICONIX(威世) SIJ478DP-T1-GE3
图像仅供参考
请参阅产品规格

制造商型号:

SIJ478DP-T1-GE3

制造商:

SILICONIX (威世)

产品类别:

晶体管-FET,MOSFET-单个

商品描述:

MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8

供货:

货期 工作日(7-10天)

渠道:

digikey

服务:

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SIJ478DP-T1-GE3 中文资料

SIJ478DP-T1-GE3 规格参数

关键信息

制造商 Vishay

商标名 TrenchFET, PowerPAK

商标 Vishay Semiconductors

技术类参数

技术 Si

晶体管极性 N-Channel

通道数量 1 Channel

漏源击穿电压 80 V

漏极电流 60 A

漏源电阻 8 mOhms

栅极电压 - 20 V, + 20 V

栅源极阈值电压 1.4 V

栅极电荷 54 nC

耗散功率 62.5 W

通道模式 Enhancement

配置 Single

物理类型

产品种类 MOSFET

安装风格 SMD/SMT

产品类型 MOSFET

单位重量 506.600 mg

库存: 0

货期:

8周-10周(咨询客服)

最小起订:

1 个

整装:

¥10
单价:¥17.223548 总价:¥17.22

价格(含增值税)

数量 单价 总价
1 17.223548 17.22
10 12.687246 126.87
30 11.85199 355.56
100 11.031136 1103.11
500 10.65671 5328.36
品牌其他型号
SIJ478DP-T1-GE3品牌厂家:SILICONIX ,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-单个 ,可在锐单商城现货采购SIJ478DP-T1-GE3、查询SIJ478DP-T1-GE3代理商; SIJ478DP-T1-GE3价格批发咨询客服;这里拥有 SIJ478DP-T1-GE3中文资料 、引脚图、Datasheet数据手册、pdf功能说明书、规格参数、现货库存、封装信息、产品选型手册,还可快速找到 SIJ478DP-T1-GE3替代型号SIJ478DP-T1-GE3数据手册PDF