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SIJ478DP-T1-GE3

SIJ478DP-T1-GE3

数据手册.pdf
SIJ478DP-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

阈值电压 2.6 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SO-8

外形尺寸

封装 SO-8

其他

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

SIJ478DP-T1-GE3引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
SIJ478DP-T1-GE3 Vishay Semiconductor 威世 MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8 搜索库存