制造商型号: | IXFQ60N25X3 |
制造商: | IXYS (艾赛斯.力特) |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-单个 |
商品描述: | MOSFET N-CHANNEL 250V 60A TO3P |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | digikey |
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IXYS(艾赛斯.力特) IXFQ60N25X3
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IXFQ60N25X3 中文资料
数据手册PDF
IXFQ60N25X3 规格参数
关键信息
制造商 IXYS
商标名 HiPerFET
商标 IXYS
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 250 V
漏极电流 60 A
漏源电阻 19 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2.5 V
栅极电荷 50 nC
耗散功率 320 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 7 ns
正向跨导(Min) 30 S
上升时间 10 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 62 ns
典型接通延迟时间 18 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 1.600 g
库存: 30
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | 81.179076 | 81.18 |
10 | 72.925252 | 729.25 |
25 | 68.946612 | 1723.67 |
100 | 55.15729 | 5515.73 |
250 | 52.092996 | 13023.25 |
500 | 49.028702 | 24514.35 |
1000 | 41.980826 | 41980.83 |
2500 | 41.367967 | 103419.92 |
品牌其他型号
IXFQ60N25X3品牌厂家:IXYS
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-单个
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