制造商型号: | SQ3425EV-T1_GE3 |
制造商: | SILICONIX (威世) |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-单个 |
商品描述: | MOSFET P-CHANNEL 20V 7.4A 6TSOP |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | digikey |
服务: | 锐单发货及售后,顺丰快递,在线客服 |
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SILICONIX(威世) SQ3425EV-T1_GE3
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SQ3425EV-T1_GE3 中文资料
数据手册PDF
SQ3425EV-T1_GE3 规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 7.4 A
漏源电阻 49 mOhms
栅极电压 - 12 V, + 12 V
栅源极阈值电压 1.4 V
栅极电荷 10.3 nC
耗散功率 5 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 28 ns
上升时间 26 ns
晶体管类型 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 41 ns
典型接通延迟时间 11 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
零件号别名 SQ3425EV-T1_BE3
单位重量 20 mg
库存: 4435
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | 7.784294 | 7.78 |
10 | 6.672253 | 66.72 |
25 | 6.227436 | 155.69 |
100 | 4.626095 | 462.61 |
250 | 4.39479 | 1098.70 |
500 | 3.611914 | 1805.96 |
1000 | 2.935792 | 2935.79 |
品牌其他型号
SQ3425EV-T1_GE3品牌厂家:SILICONIX
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-单个
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