制造商型号: | IRLB8314PBF |
制造商: | INFINEON (英飞凌) |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-单个 |
商品描述: | MOSFET N-CH 30V 184A TO220 |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | 国内现货 自营 digikey |
服务: | 锐单发货及售后,顺丰快递,在线客服 |
客服: | |
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INFINEON(英飞凌) IRLB8314PBF
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IRLB8314PBF 中文资料
数据手册PDF
IRLB8314PBF 规格参数
关键信息
制造商 Infineon
商标名 HEXFET
商标 Infineon / IR
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 171 A
漏源电阻 1.9 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.7 V
栅极电荷 40 nC
耗散功率 125 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 72 ns
正向跨导(Min) 307 S
上升时间 142 ns
典型关闭延迟时间 32 ns
典型接通延迟时间 19 ns
外形参数
高度 15.65 mm
长度 10 mm
宽度 4.4 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
零件号别名 IRLB8314PBF SP001572766
单位重量 2 g
库存: 有货
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | 7.467012 | 7.47 |
10 | 6.679208 | 66.79 |
100 | 5.209782 | 520.98 |
500 | 4.303877 | 2151.94 |
1000 | 3.397764 | 3397.76 |
品牌其他型号
IRLB8314PBF品牌厂家:INFINEON
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-单个
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