制造商型号: | SI4114DY-T1-E3 |
制造商: | SILICONIX (威世) |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-单个 |
商品描述: | MOSFET N-CH 20V 20A 8-SOIC |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | digikey |
服务: | 锐单发货及售后,顺丰快递,在线客服 |
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SILICONIX(威世) SI4114DY-T1-E3
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SI4114DY-T1-E3 中文资料
数据手册PDF
SI4114DY-T1-E3 规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay / Siliconix
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 20 A
漏源电阻 6 mOhms
栅极电压 - 16 V, + 16 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 95 nC
耗散功率 5.7 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
外形参数
高度 1.75 mm
长度 4.9 mm
宽度 3.9 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 SI4114DY-E3
单位重量 187 mg
库存: 2485
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | 19.646509 | 19.65 |
10 | 17.681858 | 176.82 |
100 | 14.215984 | 1421.60 |
500 | 11.679504 | 5839.75 |
1000 | 9.67741 | 9677.41 |
品牌其他型号
SI4114DY-T1-E3品牌厂家:SILICONIX
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-单个
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