制造商型号： | NTMFS4C09NT1G |
制造商： | ON (安森美) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-单个 |
商品描述： | MOSFET N-CH 30V 9A SO8FL |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
客服： | |
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ON(安森美) NTMFS4C09NT1G
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NTMFS4C09NT1G 中文资料
数据手册PDF
NTMFS4C09NT1G 规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标 onsemi
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 52 A
漏源电阻 4.6 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2.2 V
栅极电荷 22.2 nC
耗散功率 25.5 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 6 ns
正向跨导（Min） 50 S
上升时间 32 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 16 ns
典型接通延迟时间 10 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 750 mg
库存： 6044
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 11.594933 | 11.59 |
| 10 | 10.376282 | 103.76 |
| 100 | 8.093974 | 809.40 |
| 500 | 6.686254 | 3343.13 |
品牌其他型号
NTMFS4C09NT1G品牌厂家：ON
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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