制造商型号: | FDT1600N10ALZ |
制造商: | ON (安森美) |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-单个 |
商品描述: | MOSFET N-CH 100V SOT-223-4 |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | 国内现货 digikey |
服务: | 锐单发货及售后,顺丰快递,在线客服 |
客服: | |
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ON(安森美) FDT1600N10ALZ
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FDT1600N10ALZ 中文资料
数据手册PDF
FDT1600N10ALZ 规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标名 PowerTrench
商标 onsemi / Fairchild
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 100 V
漏极电流 5.6 A
漏源电阻 156 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2.8 V
栅极电荷 3.77 nC
耗散功率 10.42 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 14.8 ns
正向跨导(Min) 10.7 S
上升时间 15 ns
典型关闭延迟时间 13.5 ns
典型接通延迟时间 7.4 ns
外形参数
高度 1.8 mm
长度 6.5 mm
宽度 3.5 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 112 mg
库存: 有货
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
4000 | 2.097247 | 8388.99 |
8000 | 1.986904 | 15895.23 |
12000 | 1.839731 | 22076.77 |
28000 | 1.821498 | 51001.94 |
品牌其他型号
FDT1600N10ALZ品牌厂家:ON
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-单个
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