制造商型号： | EPC2033 |
制造商： | EPS |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-单个 |
商品描述： | GAN TRANS 150V 7MOHM BUMPED DIE |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
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EPS EPC2033
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EPC2033 中文资料
数据手册PDF
EPC2033 规格参数
属性
参数值
制造商型号
EPC2033
制造商
EPS
商品描述
GAN TRANS 150V 7MOHM BUMPED DIE
包装
Digi-Reel®
Alternate Packaging
系列
eGaN®
零件状态
Active
FET 类型
N-Channel
技术
GaNFET (Gallium Nitride)
漏源电压（Vdss）
150V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
31A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
-
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
7mOhm @ 25A, 5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
2.5V @ 9mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
10nC @ 5V
Vgs（最大值）
-
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
1140pF @ 75V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
-
工作温度
-
安装类型
Surface Mount
供应商器件封装
Die
封装/外壳
Die
库存： 3637
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 122.692464 | 122.69 |
| 10 | 105.205691 | 1052.06 |
| 100 | 87.669343 | 8766.93 |
品牌其他型号
EPC2033品牌厂家：EPS
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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