制造商型号： | SIRA99DP-T1-GE3 |
制造商： | SILICONIX (威世) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-单个 |
商品描述： | MOSFET P-CH 30V PP SO-8 |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
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SILICONIX(威世) SIRA99DP-T1-GE3
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SIRA99DP-T1-GE3 中文资料
数据手册PDF
SIRA99DP-T1-GE3 规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标名 PowerPAK
商标 Vishay Semiconductors
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 195 A
漏源电阻 1.7 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 16 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 172.5 nC
耗散功率 104 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 57 ns
正向跨导（Min） 114 S
上升时间 183 ns
晶体管类型 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 64 ns
典型接通延迟时间 69 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 506.600 mg
SIRA99DP-T1-GE3 同类别型号
库存： 9559
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 37.530477 | 37.53 |
| 10 | 31.119021 | 311.19 |
| 100 | 24.764429 | 2476.44 |
| 500 | 20.954801 | 10477.40 |
| 1000 | 17.77978 | 17779.78 |
品牌其他型号
SIRA99DP-T1-GE3品牌厂家：SILICONIX
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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